Назначение разработки: Разработка касается выращивания кристаллов активных диэлектриков NaBi (MoO4)2, ВіV(Nb)О4, LiNbO3, TeO2 для нужд современной оптоэлектроники в промышленных масштабах.

Рекомендуемая область применения: Оптоэлектроника.

Преимущества перед аналогами: В разработке объединены возможности варьирования параметров синтеза и комплексных исследований, что позволяет установить связь физических свойств с особенностями структуры, условиями выращивания и технологической обработки полученных материалов.

Стадия готовности разработки: Проверено в лабораторных условиях

Описание разработки:
()
Предлагаются пьезоэлектрические и акустооптические экологически чистые кристаллы, тонкие пленки. Установлены факторы, влияющие на повышение эффективности пьезоэлектрических и акустооптических, экологически чистых материалов. Предметом исследования являются собственные дефектные состояния, размерные эффекты и модификации состава материалов вблизи морфотропнои фазовой границы, исследования и использование которых позволит повысить эффективность эко-дружественных пьезоэлектрических и акустооптических материалов. Методы повышения оптического качества кристаллов прошли практическую апробацию.

Сведения о новизне разработки:
имеется патентов Украины -- 2 шт.

Результаты испытаний
Требуется доработка

Возможность передачи за рубеж:
Продажа лицензий

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua