Назначение разработки: Широкоапертурный низкоэнергетический источник комбинированного ионно-электронного пучка предназначен для реактивной ионно-лучевой обработки микро- и наноструктур в технологиях микроэлектроники, для ионно-лучевого полирования, осаждения тонких пленок, а также для проведения фундаментальных научных исследований в области физики плазмы и физики пучков заряженных частиц.

Рекомендуемая область применения: Результаты работы могут быть реализованы в научных организациях физического и технического профиля и непосредственно на предприятиях, производящих современную наукоемкую продукцию.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Описание разработки:
()
Источник обеспечивает генерацию совмещенного пучка ионов и электронов диаметром 250 мм (диаметр зоны обработки 200 мм) с возможностью независимого управления энергией ионов в диапазоне 50-500 еВ и плотностью тока ионов в диапазоне 0,5-6 мА/см2 на выходе ионно-оптической системы. Применение ионно-оптической системы с высокочастотным смещением обеспечивает возможность одновременного извлечения положительных ионов и электронов. Во всех режимах обеспечивается полная токовая компенсация пучка. Источник приспособлен к длительной эксплуатации с использованием химически активных газов, содержащих фтор.

Сведения о новизне разработки:
имеется авторских свидетельств -- 10 шт.
имеется патентов Украины -- 5 шт.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Продажа лицензий
Совместное произв.,продажа, эксплуатация

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua