Назначение разработки: Предназначено для преобразования магнитного поля в ток.

Рекомендуемая область применения: Разработка может быть реализована в измерительной аппаратуре широкого назначения.

Техническая характеристика: Основные технические характеристики: - напряжение питания, В 6-12; - ток питания, мА 3-5; - магниточувствительность, мА/Тл 1-2; - исходный импеданс, Мом 0,5-1; - быстродействие, мкс 0,5-1.

Преимущества перед аналогами: По физическим признакам аналогов нет. Сравнительно с ближайшим и наиболее распространенным техническим аналогом - датчиком Хола - магнитотранзистор имеет, во-первых, на два порядка большую чувствительность в вольтовом режиме, и, во-вторых, технология его изготовления целиком совместима со стандартными технологическими процессами (эпитаксиально-планарным и КМОП). Технические и экономические характеристики структуры как преобразователя делают ее конкурентоспособной на мировом рынке датчиков магнитного поля.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Технико-экономический эффект: Экономические преимущества датчиков на основе транзисторной структуры базируются на использовании для ее изготовления преимущественно ресурсов Украины, групповых методов микроэлектроники, отсутствия драгоценных материалов, низкой трудоёмкостью. Ориентировочная стоимость одного датчика такая же, как и обычного маломощного транзистора широкого применения, которое значительно меньше стоимости технического аналога. Технико-экономические показатели разрешают применять датчик для широкого круга измерительной аппаратуры и оборудования.

Описание разработки:
()
Инжекционные дрейфовые магниточувствительные полупроводниковые структуры балансного типа, исходным сигналом которых является ток. Применяются как базовые элементы преобразователей магнитного поля, которые используются для: - измерения магнитной индукции; - бесконтактного измерения токов; - регистрации линейных и угловых перемещений (в частности, как датчика положения в бесколлекторных двигателях постоянного тока); - измерение скорости вращения. На базе Львовского научно-исследовательского радиотехнического институтаизготовлена экспериментальная партия магниточувствительных транзисторных структур как первичных преобразователей в составе интегральной магниточувствительной схемы и проведены их экспериментальные испытания. Результаты испытаний показали 100%-ную готовность к внедрению.

Сведения о новизне разработки:
имеется авторских свидетельств -- 1 шт.
имеется патентов других стран -- 1 шт.

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua