Назначение разработки: Предназначен для повышения износостойкости голографических рабочих матриц при тиснении с них голографической продукции, повышения производительности процесса тиснения, снижения себестоимости голографической продукции.

Рекомендуемая область применения: Голография, проектирование и конструирование электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры, отделка поверхностей и нанесение покрытий.

Преимущества перед аналогами: Аналогов разработанному технологическому процессу не выявлено. Стоимость нанесения износостойкого защитного покрытия не превышает 8-10 % стоимости голографической рабочей матрицы при увеличении ее износостойкости в ~2 раза. Процесс нанесения защитных покрытий не ухудшает экологическую обстановку окружающей среды.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Технико-экономический эффект: Снижение себестоимости голографической продукции.

Описание разработки:
()
Повышение износостойкости рабочих матриц основано на защите их голографического микрорельефа тончайшим сверхтвердым покрытием из алмазоподобного углерода, не искажающем дифракционной эффективности голографической продукции. Толщина защитного углеродного покрытия не превышает 100 нм. Требуемая толщина покрытия задается параметрами процесса. На защищаемую поверхность рабочих матриц защитное покрытие наносится методом плазменного осаждения. Технологический процесс может быть реализован на серийных вакуумных установках с их минимальными переделками под требования процесса. Разработчиками процесс реализован с использованием вакуумной установки УВН-71П-3 после ее соответствующей модернизации. Технологический процесс может быть адаптирован для увеличения износостойкости трущихся деталей, снижения коэффициента трения между ними, увеличения срока их эксплуатации. Изготовлена опытная партия голографических рабочих матриц с модифицированной поверхностью. Внедрен технологический процесс изготовления модифицированных рабочих матриц.

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации

Фотоприложение

Cтрана Беларусь

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua