Назначение разработки: Выяснить механизмы процессов взаимодействия объемных и поверхностных дефектов в полупрводниковых материалах с электрическим полем.

Рекомендуемая область применения: Применение кремниевых пластин в качестве сенсоров, преобразователей давления.

Преимущества перед аналогами: Уменьшена нелинейность и температурная зависимость преобразования.

Стадия готовности разработки: Проверено в лабораторных условиях

Технико-экономический эффект: Уменьшена нелинейность и температурная зависимость преобразования.

Описание разработки:
()
Предложен метод выявления присутствия декорированных дислокаций в кристаллах СdS на основе анализа формы спектра краевой люминесценции. Оптимизированы режимы анодирования и последующей обработки Si-пластин, что позволило получить образцы пористого кремния с внешним квантовым выходом ~20%.

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Продажа технической документации

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua