Назначение разработки: Для контроля отклонений от плоскостности полупроводниковых пластин, которые находятся в "выпрямленном" состоянии.

Рекомендуемая область применения: Предприятия электронной промышленности.

Техническая характеристика: Технические характеристики: - диаметр контролируемых пластин - 100; 150; 200 мм; - погрешность измерений отклонений от плоскостности - 50 нм; - среднее квадратическое отклонение случайной составляющей погрешности измерений - 20 нм - максимальный перепад высот рельефа поверхности пластины на длине 10 мм - не более 7 мкм - кинематическая производительность, пластин/ч: для пластин диаметром 100 мм - 90 для пластин диаметром 150 мм - 75 для пластин диаметром 200 мм - 60

Преимущества перед аналогами: По своим основным техническим параметрам разработанная установка превосходит единственный отечественный образец ЭМ-6019А и соответствует лучшему на сегодняшний день мировому образцу фирмы ADE, выгодно отличаясь от них по цене.

Стадия готовности разработки: Внедрено в производство

Технико-экономический эффект: Применение установки позволит снизить процент брака производимых микросхем, поскольку топологический рисунок с субмикронными элементами формируется в слое фоторезиста с помощью проекционных объективов, имеющих глубину резкости в несколько микрометров, что не позволяет получить качественные микросхемы на пластинах с такой же кривизной рабочей поверхности из-за расфокусировки изображения.

Описание разработки:
()
В установке использован метод многоканального интерферометра. Установка предназначена для использования на предприятиях электронной промышленности как при производстве полупроводниковых кремниевых пластин, а также подложек из арсенида галлия, сапфира и кремния на сапфире, так и для их сортировки на три сорта по заданным оператором параметрам непосредственно перед процессом фотолитографии. Разработанная установка позволяет измерять интерферометрическим методом отклонения от плоскостности рабочей поверхности кремниевых полупроводниковых пластин и подложек.

Возможность передачи за рубеж:
Продажа патентов
Реализация готовой продукции

Фотоприложение

Cтрана Беларусь

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua