Назначение разработки: Предназначены для измерения мощности экспозиционной дозы гамма-излучения в широком диапазоне, для измерения мощных гамма-полей при аварийном режиме работы АЭС, для контроля и обнаружения радионуклидов.

Рекомендуемая область применения: Области применения: - атомная энергетика - для дозиметрии и мониторинга территории АЭС, для анализа изотопного состава и контроля герметичности ТВЭЛов; - геология - в аэрокосмической разведке; - экология - для мониторинга окружающей среды; - медицина - в рентгеновской и позитронной компьютерной томографии; при измерении дозовой нагрузки на пациента; при лучевой диагностике и терапии; - научные исследования.

Преимущества перед аналогами: Преимущества: - высокая чувствительность при небольших размерах; - возможность работы при комнатной температуре; - возможность качественно оценить вклад отдельных радионуклидов.

Стадия готовности разработки: Опробовано в режиме опытной эксплуатации

Описание разработки:
()
Технология изготовления и обработки кристаллов GdTe и GdZnTe позволяет создавать чувствительные полупроводниковые детекторы, работающие при комнатной температуре. Такие детекторы могут успешно применяться в современных устройствах регистрации и измерения гамма-излучения. Особенность этих продуктов заключается в том, что они не являются функционально законченными приборами (дозиметром, спектрометром), а представляют самую важную и сложную в технологическом плане часть этого оборудования. Имея небольшие размеры, они обладают высокой дискретной чувствительностью - 200 имп/мкР для энергии 662 кэВ и объема детектора 50 мм3. Линейная зависимость загрузки счетного канала регистрации от мощности экспозиционной дозы сохраняется вплоть до 1 Р/ч. При этом загрузка канала регистрации составляет 5000 [с-1].

Результаты испытаний
Обеспечивает получение стабильных резуль

Возможность передачи за рубеж:
Совместное доведение до промыш. уровня
Реализация готовой продукции
Совместное произв.,продажа, эксплуатация

Фотоприложение

Cтрана Украина

За дополнительной информацией обращайтесь:
E-mail: gal@uintei.kiev.ua