Призначення розробки: Нанесення багатошарових або багатокомпонентних металевих і діелектричних шарів, у тому числі для формування наноструктурованих каталітичних шарів (Fe, Ni, Co і інших). Установка забезпечує проведення різних процесів нанесення плівок товщиною 0,1 – 5 мкм на підкладки діаметром 60 – 200 мм, а також на квадратні або прямокутні з лінійними розмірами 30 – 200 мм.

Рекомендована область застосування: нанотехнології

Технічна характеристика: Швидкість нанесення: – металічних плівок.....................до 0,5 мкм/хв; – діелектричних плівок...................до 0,2 мкм/хв. Нерівномірність плівок по товщині (підкладка діаметром 150 мм).......± 3 %. Температура підкладок.......................до 300°С.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Опис розробки:
()
Установка має чотири робочі позіції: - Шлюзування і нагрів. - Іонне очищення поверхні підкладок. - Магнетронне розпилення матеріалів з трьох мішеней малого діаметру. - Магнетронне розпилення матеріалів з однієї мішені великого діаметру. Особливості: - Магнетронний розпилювальний пристрій планарний з мішенню діаметром 280 мм або мультікатодний з мішенями діаметром 100 мм. - ВЧ-очистка підкладок перед нанесенням шарів. - Шлюзова камера завантаження – вивантаження підкладок діаметром до 200 мм (200х 200 мм). - Безмасляна система відкачування (турбомолекулярні або криогенні, форвакуумні насоси). - Мікропроцесорна система управління. - Можливість вбудовування в «чисту» кімнату. - Можливість об'єднання в кластерний комплекс - стиковка окремих установок через шлюзову камеру або з платформою транспортно-загрузочного модуля. Конструкція забезпечує декілька режимів функціонування магнетронів: - Тренування мішеней (очищення поверхні) - Напилення багатошарових плівок - Напилення багатокомпонентних (три або двокомпонентних) плівок - Напилення однокомпонентних плівок Вакуумна система установки виконана повністю на основі безмасляних засобів відкачування з використанням імпортних турбомолекулярного (криогенного) і форвакуумного (сухого) насосів. Газова система забезпечена декількома каналами подачі інертного і активного газів з контролем витрати кожного з них (при реактивних процесах нанесення плівок). Додатково для контролю газового середовища в робочій камері до і в процесі нанесення плівок установка забезпечена квадрупольним мас-спектрометром з індивідуальною откачною системою. Для управління установкою використовується імпортний промисловий контроллер і персональний комп'ютер. Програмне забезпечення дозволяє контролювати всі технологічні і машинні параметри, а також проводити діагностику відхилень від них (база поточних даних, характеризуюча стабільність роботи установки). Для візуального контролю інформація виводиться на дисплей.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Реалізація готової продукції
Спільне виробництво,продаж,эксплуатація

Фотодоповнення

Країна Росія

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua