МАЛОГАБАРИТНИЙ КОМБІНОВАНИЙ ВЕРСТАТ ДЛЯ БЕЗДЕФЕКТНОЇ РІЗКИ КРИСТАЛІВ
Призначення розробки:
Призначено для кристалографічної орієнтованої різки монокристалів без внесення в них додаткових структурних дефектів.
Рекомендована область застосування:
Мікроелектронна та електронна промисловість.
Технічна характеристика:
- габарити – 500х500х500 мм;
- діаметр кристалу, що розрізають - = 50 мм;
- максимальна довжина злитку – 300 мм;
- розмір пластини, що розрізають – 40х50 мм;
- діаметр нитки – 0,03-0,3 мм;
- кількість ниток – до 5 шт.;
- швидкість руху нитки – 0,1-1 м/с;
- тиск нитки на зразок – 0,01-0,10 Н.
Переваги перед аналогами:
- відсутність додаткових структурних дефектів на поверхні розрізу;
- можливість регулювання режиму різки;
- можливість переналадки верстата в хімічний, багатострунний та абразивний варіанти;
- висока точність орієнтованих розрізів.
Аналоги даного верстату відсутні.
Стадія завершеності розробки:
Впроваджено в виробництво
Техніко-економічний ефект:
- відсутність додаткових структурних дефектів на поверхні розрізу;
- можливість регулювання режиму різки;
- можливість переналадки верстата в хімічний, багатострунний та абразивний варіанти;
- висока точність орієнтованих розрізів;
Аналоги даного верстату відсутні.
Опис розробки:
() Відсутність порушень в зоні різання забезпечується завдяки використанню принципів хімічного або електрохімічного травлення речовин.
Станок можна застосовувати для різки речовин, що піддаються розчиненню в рідких середовищах. Робочим інструментом станка є нитка, що рухаючись затягує витравлювач у зону різання кристалу та виносить з неї продукти реакції. Станок має управляючу систему, що забезпечує автоматичну подачу заготівки, без механічного контакту ниткою, з швидкістю подачи, що дорівнює швидкості травлення зразка. Заміна оснащення дозволяє використовувати станок для багатострунної хімічної різки, а також абразивної струнної різки злитків та пластин. В абразивному варіанті управляюча система подачі заготівки забезпечує контрольований малий тиск контакту нитка-зразок.
Пристрій випробувано при разрізанні напівпровідникових монокристалів (CdHgTe, CdTe, Ge, Si, GaAs, InSb, InAs, CdZnTe, PbSnTe, HgTe, Wi2Te3), лугогалоїдних кристалів та деяких металів.
Відомості про новизну розробки:
в розробці застосовано
патентiв -- 1 шт.
Результати дослiджень
Відповідає технічній характеристиці
Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів Продаж техничної документації Реалізація готової продукції Спільне виробництво,продаж,эксплуатація
Фотодоповнення
Країна
Україна
Для отримання додаткової інформації звертайтесь:: E-mail: gal@uintei.kiev.ua
|