Призначення розробки: Призначено для високоякісного полірування пластин напівпровідників та металів без внесення деформацій та додаткових дефектів.

Рекомендована область застосування: Мікроелектроніка.

Технічна характеристика: - тиск підложок (пластин) на полірувальник – 0,01-0,10 Н; - швидкість обертання полірувальника –5-60 об/хв; - шорсткість підложок (пластин) після обробки – 0,03 мкм; - неплоскісність пластини на діаметрі 60 мм – 2-4 мкм; - порушений шар на поверхні пластин після обробки (в варіанті ББХМП) – відсутній.

Переваги перед аналогами: - конкурентоздатність технології полягає в тому, що вона дозволяє отримати монокристалічні пластини, які не потребують додаткової обробки, без при внесених операціями обробки структурних змін, необхідної плоскістності та шерехатості. - технологія дозволяє суттєво зменшити припуск на обробку, економити матеріал, підвищити в декілька раз вихід придатних заготовок, скоротити витрати робочого часу, виготовляти тонкі (від десятків мкм) пластини пластичних напівпровідників без залишкового вигину та наклепу, формувати глибокі та тонкі бездефектні пропіли, що може бути використано для виготовлення мезаструктур.

Стадія завершеності розробки: Впроваджено в виробництво

Опис розробки:
()
Витравлювач необхідного складу для обробки подається на полірувальник станка, на якому знаходяться касети з пластинами матеріалу, які обробляються. Станок має систему управління та контролю, яка забезпечює зміни тиску пластин на полірувальник, швидкості та кінематики руху касети з зразками, швидкості руху полірувальника. Станок може бути використаний для безконтактного безабразивного хіміко-механічного (ББХМП) та електрохімічного полірування пластин, які можуть розчинятися в рідких середовищах. Заміна оснастки дозволяє використовувати станок для операції хіміко-механічного та абразивного полірування пластин. В абразивному варіанті управляюча система подачи заготовки забезпечує контрольований малий тиск зразка на полірувальник. Станок випробувано при поліруванні пластин напівпровідникових матеріалів (InAs, InSb,CdHgTe, CdTe, HgTe, PbTe, GaAs, ZnSe, CdZnTe, Ge) та деяких металів (Al, Cu, Zn, та ін.). Принциповою особливістю технології є те, що на всіх операціях виготовлення виробів в зону обробки напівпровідника подається дозована кількість особливої хімічно активної рідини, яка розчиняє даний матеріал, що обробляється та в подальшому продукти реакції повністю виводяться. Обробка (різка або полірування) виконується без контакту виробу з інструментом в тонкому контрольованому шарі витравлювача, завдяки чому підвищюється точність виконуваних операцій. Аналоги відсутні.

Результати дослiджень
Відповідає технічній характеристиці

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Реалізація готової продукції

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua