Рекомендована область застосування: Медицина: фізіотерапія, зворотне переливання крові, опромінення людини сонячними променями; сільське господарство: агротехнології в теплицях і оранжереях; біотехнології: синтез вітамінів D2 і D3; дезінфекція води, повітря, одягу, інструменту і харчових продуктів під час тривалого зберігання та епідемій; астронавігація і ультрафіолетова локація; астрономія; отримання даних про фізичні процеси, що протікають на позаземних об'єктах, здатних випромінювати ультрафіолетове випромінювання; матеріалознавство: визначення складу речовини та електронної структури елемента; екологія: дослідження озонової діри, виявлення забруднень навколишнього середовища; ядерна фізика і теплотехніка: реєстрація ядерних частинок за допомогою сцинтиляторів; дефектоскопія; кримінологія; проведення люмінесцентного аналізу творів мистецтв завдяки здатності ряду речовин люминесцирувати під впливом ультрафіолетового випромінювання.

Переваги перед аналогами: Пропонований детектор - лавинний фотодіод нового покоління - забезпечує реєстрацію світлового випромінювання нескінченно малої інтенсивності. На відміну від аналогів характеризується малими розмірами (площа робочого елемента 9 квадратних мм), високою чутливістю (10 в шостому ступені-10 у сьомому ступені В / Вт) і швидкодією. Спектральний діапазон чутливості - 200-900 нм, робоча напруга низька (5-10 В), поріг чутливості на рівні одиночних фотонів. Метод виготовлення порівняно з аналогами відрізняється простотою і невисокою ціною.

Стадія завершеності розробки: Виготовлено дослідний зразок

Опис розробки:
()
Поверхнево-бар'єрні елементи отримані методом вакуумного осадження тонкої золотої плівки на свіжесколоту поверхню кристала InSe. Омічні контакти створені за допомогою осадження срібної пасти на протилежну поверхню кристала. Подальший відпал протягом 10 хвилин дозволяє зменшити перехідний опір.

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж техничної документації
Реалізація готової продукції

Фотодоповнення

Країна Азербайджан

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua