Рекомендована область застосування: Авіація та космонавтика, робототехніка, медицина та ін

Переваги перед аналогами: Розробка датчиків для відповідних областей застосування можлива, якщо чутливі елементи мають фізико-механічні властивості близькі до ідеальних, і забезпечується пряма трансформація механічних коливань в електричний сигнал. Умова для досягнення максимально можливої чутливості (> 10 в 9 ступені Гц / відносна одиниця деформації нитки перетворювача до вимірюваної величини) - можливість отримання дуже коротких і тонких кристалів. Датчик тиску складається з мембрани з монокристалу кремнію і перетворювачів деформації ниткового типу, виготовлених на основі монокристала n-Ge-Si. Вільне положення кристала на мембрані при її деформації під впливом тиску, що прикладаеться дозволяє досягати максимальної чутливості при вимірюванні його флуктуацій. Перетворювачі деформації ниткового типу на основі монокристала володіють вищою чутливістю і точністю, мінімальними зовнішніми розмірами і витратою енергії.

Стадія завершеності розробки: Виготовлено дослідний зразок

Опис розробки:
()
На основі модуля деформації з резисторами деформації n-Ge1-xSix розроблені мініатюрні високочутливі високочастотні датчики для вимірювання сили тиску рідин і газів в діапазонах від 0-4-10 в 4 ступені Па до 0-30 МПа. Чутливий елемент цих пристроїв - електромеханічний резонатор ниткового типу з електростатичним порушенням механічних коливань поперечного перерізу. Застосовуваний чутливий елемент виготовляється з ниткоподібного монокристала n-Ge1-xSix довжиною 1-5 мм і діаметром 8-12 мкм. Жорстко закріплюється по кінцях плити або деформованої поверхні на відстані 50 мкм від неї. Збільшення вмісту кремнію в з'єднанні n-Ge1-xSix призводить до підвищення чутливості і деформації чутливого елемента. Кожен датчик тиску поставляється з підсилювачем для підвищення ступеня роздільної здатності, блоком управління, обладнанням реєстрації даних. Новий елемент має стійкість до впливу радіації.

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж техничної документації

Фотодоповнення

Країна Росія

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua