Призначення розробки: Призначений для використання в широкому аспекті техніки та електроніки, наприклад, в таких напрямках, як телекомунікації, Інтернет, альтернативні джерела енергії.

Рекомендована область застосування: Нанотехнології, пов'язані з електронікою та мікроелектронікою, оптичні мережі та системи, телекомунікації, мережі, нетрадиційні та альтернативні джерела енергії.

Технічна характеристика: Для отримання поруватих шарів InP був обраний метод фотоелектрохімічного травлення в електроліті на основі HCl (5%). Також був обраний режим фіксованої щільності струму, яка склала 150 мА/см2. Час травлення становив 15 хвилин. Катодом служила пластина платини. Робоча поверхня зразків 0,12 см.

Переваги перед аналогами: На поверхні поруватого р-InР не утворюється оксидної плівки, також не спостерігається наявність елементів, що входять до складу травителя. Пори мають рівномірний розподіл по поверхні кристала. Діаметр пор свідчить про те, що створювана поверхня є нанопористою. Цей результат є технологічно важливим, оскільки дозволяє використовувати такі структури в різних областях техніки і оптоелектроніки.

Стадія завершеності розробки: Виготовлено дослідний зразок

Опис розробки:
()
Дана розробка відноситься до способів виготовлення поруватих структур на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу, в результаті чого на поверхні формується поруватий шар InP. Обробку монокристала p-InP проводять шляхом фотоелектрохімічного травлення. Перед травленням зразки проходили попередню обробку з метою отримання очищеної від забруднень поверхні. Зразки промивали в толуолі, метанолі і ізопропанолі. Для отримання поруватих шарів InP був обраний метод фотоелектрохімічного травлення в електроліті на основі HCl (5%). Також був обраний режим фіксованої щільності струму, яка склала 150 мА/см2. Час травлення становила 15 хвилин. Катодом служила пластина платини. Робоча поверхня зразків 0,12 см. Технологія готова до серійного виробництва і дозволяє отримувати високоякісні поруваті шари InP з регульованими параметрами (ступінь пористості, розмір і глибина пор, рівномірність розподілу пор по поверхні зливка). Запропонований метод отримав високу оцінку фахівців з фізики напівпровідників на кількох міжнародних наукових конференціях. Такі структури можуть знайти застосування при виготовленні сенсорів (так як їх чутливість залежить від площі поверхні), сонячних батарей (можливість накопичення рекордної кількості енергії).

Відомості про новизну розробки:
є патентів України -- 1 шт.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж ліцензій
Продаж техничної документації
Спільне доведення до промислового рівня
Спільне виробництво,продаж,эксплуатація

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua