Призначення розробки: Розробка відноситься до конденсаторобудування і може бути використана в різноманітних областях наноелектроніки як функціональний блок радіочастотних конденсаторів і оптично керованих ліній затримки, інкорпорованих в архітектуру 3D-наноструктур та сформованих за висхідним принципом. Можливе застосування її як квантового накопичувача для не електрохімічного надвисокоємного накопичення енергії на молекулярному рівні.

Технічна характеристика: Збільшення густини ємності до 22 разів порівняно з відомими параметрами та одночасне зменшення тангенса кута електричних втрат до 20,7 разів.

Стадія завершеності розробки: Виготовлено дослідний зразок

Опис розробки:
()
Квантовий конденсатор має напівпровідникову шарувату кристалічну структуру GaSe з двома струмовиводами, інтеркаляційно розширену в напрямку, перпендикулярному до площини квантових листів, де в розширених областях дії сил Ван-дер-Ваальса сформовано нанопрошарки іншорідної фази. Як іншорідна фаза використано органічний напівпровідник, а струмовиводи нанесені на дві протилежні грані, перпендикулярні до кристалографічної осі С.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Спільне доведення до промислового рівня

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua