Призначення розробки: Підвищення термоелектричної ефективності ZT-основний характеристики термоелектричних матеріалів. Нано структурування термоелектричних матеріалів є ефективною технологією досягнення високої ZT за рахунок забезпечення низької теплопровідності

Рекомендована область застосування: Космічна галузь, військова галузь, підприємства побутової техніки, термоенергетіка

Переваги перед аналогами: 1-й рік впровадження - 1 млн. грн.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Техніко-економічний ефект: Термоелектрика - пріоритетний напрям розвитку науки і техніки, заснований на прямому перетворенні теплової енергії в електричну. Відсутність рухомих частин і можливість функціонування в екстремальних умовах забезпечують термоелектричним джерел енергії високу надійність і практично необмежений ресурс роботи.

Опис розробки:
()
Нанорозмірні плівкові композиції CoSb3/SiO2 (100 нм) / Si (001) нанометрових товщин (10 - 50 нм) будуть отримані співосадженням кобальту і антимонія у вакуумі 10-9 Па на підкладки монокристалічного кремнію Si (001), покриті шаром оксиду SiO2, які знаходяться при кімнатній температурі або підігріті до температури (370 - 570) К. Осадження Sb буде проводитися за допомогою ефузера, Co - електронно-променевим методом. Для легування плівки будуть використовуватися Ba, Yb, Tl, Ce, La. Для термічної обробки плівки буде застосований отжиг в атмосфері азоту або у вакуумі в інтервалі (570 - 970) К.

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua