Призначення розробки: Призначені для створення на основі даного класу наноматеріалів нових високоефективних лазерних випромінювачів і телевізійних проекторів високої яскравості і великої площі зображення ультрафіолетового і видимого діапазонів спектру.

Рекомендована область застосування: Напівпровідникові лазери, квантоскопи і проекційні екрани.

Технічна характеристика: -зменшення на порядок оптичних втрат резонатора; -зниження порогу до 30 КВт / см квадратних і одномодовий режим лазерної генерації; -генерація ультрафіолетового випромінювання з довжиною хвилі 397 нм при кімнатній температурі Тривимірні напівпровідникові наноструктури з розмірами порядку довжини хвилі електрона або фотона застосовуються в ІПТМ РАН для модифікації випромінювальних властивостей ширококутного матеріалів ZnO та GaN. Квантування хвильових функцій електрона або фотона в наносфери і наностержнях з цих напівпровідників дозволяє змінювати їх випромінювальні характеристики, знизити на два порядки пороги накачування і підвищити ефективність ультрафіолетових лазерів.

Переваги перед аналогами: Обсяг інвестицій 10 000 000 руб.; Період окупності 1 рік.

Стадія завершеності розробки: Виготовлено дослідний зразок

Техніко-економічний ефект: Патент РФ №2366050 від 27.08.2009

Опис розробки:
()
На основі отриманих високоякісних кристалічних ширококутних напівпровідникових ZnO створені ансамблі вертикальних наностержнів (у вигляді гексагональних монокристалів) і ізольованих наностержнів з дзеркалами на торцях з характерними розмірами порядку довжини хвилі світла, на яких вперше отримана стимульована люмінесценція в ультрафіолетовій області спектра (380-400 нм). Вперше були створені лазери ультрафіолетового випромінювання з оптичним та електронним накачуванням на основі стрижнів ZnO (діаметром 100-200 нм), вирощених на різних підкладках без використання каталізатора.

Відомості про новизну розробки:
є патентів України -- 1 шт.

Результати дослiджень
Відповідає технічній характеристиці

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Спільне доведення до промислового рівня
Створення спільного підприємства
Реалізація готової продукції

Фотодоповнення

Країна Росія

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua