Призначення розробки: Технологічна установка епітаксійного росту Discovery D-180 LDM. Установка призначена для створення гетероепітаксіальних напівпровідникових структур, включаючи квантоворозмірні, на основі GaAs матеріалів методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук (метод MOCVD) для приладів мікро-оптоелектроніки. Технологічна установка епітаксійного росту D-180GaN MOCVD System. Установка призначена для створення гетероепітаксіальних напівпровідникових структур на основі GaN матеріалів методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук (метод MOCVD) для приладів мікро-оптоелектроніки. Технологічна установка епітаксійного росту m-GaNzilla MOCVD System (modification E300). Установка призначена для виготовлення гетероепітаксіальний напівпровідникових структур на основі GaN-матеріалів методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук (метод MOCVD) для приладів мікро-оптоелектроніки.

Рекомендована область застосування: Мікрооптоелектроніка.

Переваги перед аналогами: Технологічна установка епітаксійного росту Discovery D-180 LDM - в Україні немає аналога такої установки. Її можливості забезпечать користувача статусом провідної установи у галузі напівпровідникового матеріалознавства. Технологічна установка епітаксійного росту m-GaNzilla MOCVD System (modification E300) забезпечує максимальне виробництво, підтримуючи виняткову однорідність товщини, легування і складу в вирощених епітаксійних шарах. Реактор був розроблений для осадження високоякісних InGaN, AlGaN і GAN і оптимізований для швидких темпів зростання.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Техніко-економічний ефект: Матеріально-технічна база концерну "Наука" дозволяє організувати виробництво конкурентоспроможної наукомісткої продукції: - Потужних світлодіодів білого спектру випромінювання з використанням GaN та твердих розчинів на його основі; - Приладів НВЧ електроніки, силової електроніки та оптоелектроніки з використанням GaN та твердих розчинів на його основі; - Концентрованих сонячних батарей на основі тандемних наногетероструктур.

Опис розробки:
()
Технологічна установка епітаксійного росту D-180GaN MOCVD System. Діагностичне обладнання в складі: 1. Система фотолюмінесцентного картографування підкладок Philips (Nanometrics) PLM-series. Призначена для швидкого, неруйнівного картографування структури напівпровідникових підкладок при кімнатній температурі, використовуючи методи фотолюмінесценції (ФЛ). Система може сканувати підкладки діаметром до 150 мм і товщиною в 1 мм з дозволом до 0,1 мм і максимальною швидкістю 2000 точок у секунду для сумарної інтенсивності ФЛ. 2. Система виміру Холла HMS3000. Повна система по визначенню основних електричних властивостей напівпровідникових матеріалів (питомий опір, концентрація носіїв заряду, p / n тип заряду і рухливість), в тому числі багатошарових структур. Система використовує вдосконалене програмне забезпечення для обробки даних з додатковим модулем вимірювання вольтамперних характеристик. Система може використовуватися для опису різних матеріалів, включаючи кремній, арсенід галію, фосфід індію, нітрид галію, різні структура напівпровідників, шари металу, окис при кімнатній температурі і 77 К (температура рідкого азоту). 3. Електрохімічний профілометр Accent PN4300PC. Керований РС електрохімічний CV профілометр, який вимірює концентрацію електрично активної домішки в залежності від глибини в структурах напівпровідника. Це зручний, і часто єдиний спосіб оцінити властивості пластин перед дорогим і віднімають багато часу виробничим процесом.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж ліцензій
Продаж техничної документації
Створення спільного підприємства
Реалізація готової продукції

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua