СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ ОКСИДУ АЛЮМІНІЮ
Призначення розробки:
Спосіб призначений для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, зокрема, оксиду алюмінію, з високими оптичними характеристиками і збільшеним терміном служби конструкційних матеріалів теплового вузла.
Рекомендована область застосування:
Вирощені монокристали не мають обмежень для використання в стандартній оптиці і оптоелектроніці.
Технічна характеристика:
Вирощені даним способом монокристали розміром 30.170.250мм3 мають наступні структурні та оптичні властивості: щільність дислокацій <104см-2; напівширина кривої коливання <6 -20сек; хімічна чистота Аl2О3> 99,997%; концентрація окремих домішок <10ррm, Ті - <4ррm; щільність центрів розсіяння розміром до 5 мкм не більше 104см-3.
Переваги перед аналогами:
Застосування даного способу забезпечує збільшення виходу товарної продукції на 20% в порівнянні з прототипом.
Термін служби теплових екранів з вуглеграфітового матеріалу і елементів з вольфраму і молібдену становить 20 тисяч годин, що в 2 рази вище, ніж в прототипі. При цьому витрати на матеріали теплового вузла від усієї собівартості одного вирощування становлять 25%.
Вирощені монокристали не мають обмежень для використання в стандартній оптиці і оптоелектроніці.
Стадія завершеності розробки:
Виготовлено дослідний зразок
Опис розробки:
() В основу винаходу поставлено завдання вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, у тому числі оксиду алюмінію, спрямованою кристалізацією розплаву в тиглі менш трудомістким способом і з отриманням кристалів з більш високими оптичними характеристиками і збільшеним терміном служби конструкційних матеріалів теплового вузла.
Рішення поставленої задачі забезпечується тим, що в способі вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування до тиску 10-20Па і спрямовану кристалізацію розплаву в захисному газовому середовищі, перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла і сировини при 2030-2050°С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі кристалізації здійснюють хемосорбцію водню. Дотримання необхідного середовища вирощування забезпечується взаємодією водню з парами кальцію (хемосорбцією) при нагріванні останнього за допомогою додаткового нагрівача.
Проведення попередньої термообробки за даних часових і температурних режимах призводить до дегазації та очищення теплового вузла, стінок ростової камери і сировини, забезпечуючи тим самим, рівновагу в системі середа - тепловий вузол, сировина.
У цих умовах, як показали експерименти, забезпечується ефективний відвід продуктів реакції (при очищенні сировини) та десорбції (при дегазації теплового вузла), що покращує оптичну якість вирощуваних монокристалів.
Відомості про новизну розробки:
є авторських свідоцтв -- 1 шт.
Результати дослiджень
Готове до впровадження
Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів Продаж техничної документації Спільне доведення до промислового рівня Створення спільного підприємства Реалізація готової продукції Спільне виробництво,продаж,эксплуатація
Фотодоповнення
Країна
Україна
Для отримання додаткової інформації звертайтесь:: E-mail: gal@uintei.kiev.ua
|