Призначення розробки: Для використання в електронному матеріалознавстві та технології виробництва матеріалів та структур (в т.ч. наноструктур) на основі кремній-германієвих напівпровідників.

Рекомендована область застосування: Електроніка.

Переваги перед аналогами: Даний метод характеризується суттєво більш високою просторовою роздільною здатністю, яка визначається фокусуванням збуджуючого лазерного випромінювання. При використанні мікрооб'єктиву просторова роздільна здатність складає ~ 1 мкм.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Опис розробки:
()
Метод базується на реєстрації спектрів комбінаційного розсіювання світла від структур, сформованих на основі твердого розчину Ge[x]Si[1-x] та наступному аналізі інтенсивності та частот отриманих смуг, які відповідають коливанням атомів Ge-Ge, Ge-Si, Si-Si.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж техничної документації
Створення спільного підприємства

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua