Призначення розробки: Сильне легування тонкої поверхневої області напівпровідника, створення інверсного шару і формування різкого p-n переходу.

Рекомендована область застосування: Електроніка. Радіотехніка. Машинобудування.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Опис розробки:
()
Метод поверхневого лазерного легування полягає в опроміненні кристалу Cd(Zn)Te з попередньо нанесеною плівкою легуючого елемента короткими імпульсами лазера. Завдяки надшвидким процесам плавлення і кристалізації, дії пружних та ударних хвиль формується тонкий (d = 40-60 нм), сильнолегований (N приблизно 10[19] куб.см) шар і різкий p-n перехід.

Відомості про новизну розробки:

ноу-хау--
1 шт.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж техничної документації
Створення спільного підприємства

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua