Призначення розробки: Технологія дозволяє отримувати високоефективні світловипромінюючі структури на підкладках великої площі із заданим спектральним складом випромінювання (від 560нм до 950 нм).

Рекомендована область застосування: Кремнієва фотоніка, зокрема для створення кремнієвих світлодіодів, дисплейних, емісійних структур, оптичного підсилення та лазерів.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Опис розробки:
()
Розроблена технологія формування світловипромінюючих структур на основі нанокристалів кремнію в поруватій оксидній матриці з контрольованим розміром нанокристалів. Технологія запатентована, одержано патент України №75793 на винахід "Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію", опубл. в бюл. "Промислова власність", №5 від 15.05.2006.

Відомості про новизну розробки:
є патентів України -- 1 шт.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж техничної документації

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua