Призначення розробки: Напівпровідники CdTe з наноструктурованою поверхнею перспективні для створення швидкодіючих фотодіодів, оптичних модуляторів, сонячних елементів та інших приладів фотоніки.

Рекомендована область застосування: Фотоніка.

Переваги перед аналогами: На відміну від інших існуючих методів, у запропонованій розробці утворення нанорозмірних структур може відбуватися як у твердій, так і у рідкій фазах за рахунок формування дефектно-деформаційних континуумів при опроміненні матеріалу.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Опис розробки:
()
Лазерне опромінення і спричинена ним дія, зокрема, нагріву, оптичного збудження, деформаційних, ударних та поверхневих хвиль утворює у твердих тілах високу концентрацію точкових ефектів. При перевищенні критичної концентрації відбувається їх кластерізація та утворення острівців нанометрових розмірів. Цей процес виникає при опроміненні одиночними наносекундними імпульсами рубінового лазера кристалів CdTe. Зі збільшенням густини потужності лазерних імпульсів розміри наночастинок спочатку збільшуються, а потім зменшуються, при цьому в залежності від параметрів імпульсу вони впорядковуються в різні структури рельєфу.

Відомості про новизну розробки:

ноу-хау--
1 шт.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж техничної документації

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua