Призначення розробки: Розроблена кластерна система призначена для синтезу багатошарових функціональних, в тому числі нанокомпозиційних покриттів та структур, зокрема покриттів типу оксидів та оксинітридів.

Рекомендована область застосування: Мікро- та нанотехнології.

Переваги перед аналогами: Головна перевага розробки у порівнянні з закордонними аналогами полягає в тому, що синтез покриттів здійснюється в діапазоні низького тиску робочого газу (0,5-2 мТор). По-перше, це дозволяє збільшити дистанцію магнетрон-поверхня до 30-40 см, значно збільшити площу поверхні нанесення та підвищити швидкість нанесення. По-друге, це дає змогу проводити активацію реактивного газу ВЧ індукційним розрядом та доставляти активовані частинки до області синтезу покриттів. По-третє, це відкриває можливість роботи бомбардування поверхні високо-, середньо- або низько енергетичними.

Стадія завершеності розробки: Виготовлено дослідний зразок

Опис розробки:
()
Розроблена кластерна система поєднує унікальний набір іонно-плазмових інструментів обробки поверхні. Основна ідея технології полягає в сепарації двох процесів: розпилення металевої мішені за допомогою магнетрона постійного струму в інертному газі та активація реактивного газу за допомогою додаткового плазмового джерела на базі ВЧ індукційного розряду. Принциповою новизною цієї кластерної системи є поєднання декількох сумісних джерел потоків металів, іонів, хімічно-активних частинок для комплексного впливу на кінетику росту наноструктур. Зокрема, в системі вперше для таких технологій застосовано унікальне біполярне джерело заряджених частинок, яке забезпечує одночасне витягання іонів і електронів, що дозволяє відмовитися від застосування додаткового нейтралізатора, навіть при обробці діелектричних мішеней. Авторські розробки було захищено двома Патентами України. Таким чином, розроблена кластерна система дає можливість розробки принципово нових технологій синтезу покриттів з керованими властивостями. Зокрема, була проведена серія експериментів по реактивній іонно-променевій обробці діелектричних і напівпровідникових наноструктур з використанням сконструйованого джерела (робочий газ CF4), яка показала можливість анізотропної обробки структур з розміром менш ніж 70 нм.

Відомості про новизну розробки:
є патентів України -- 2 шт.

Результати дослiджень
Забезпечує отримання стабільних результ

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж ліцензій

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua