Призначення розробки: Метою роботи є розробка неохолоджуваних джерел ІЧ випромінювання на спектральний діапазон 3-12 мкм на основі Si, що дасть можливість використати високу технологічність кремнію для виготовлення джерел ІЧ випромінювання.

Рекомендована область застосування: Галузь застосування таких світлодіодів: панелі відтворення і обробки інфомації в ІЧ спектрі, засоби тестування тепловізійних камер, еталони ІЧ вимірювання, прилади моніторінгу стану навколишнього середовища, біомедичні сенсори та ін.

Технічна характеристика: В процесі роботи будуть виготовлені експериментальні зразки одно і багатоелементні джерела ІЧ випромінювання з такими параметрами: 1. Спектральний діапазон, мкм .....3-122 2. Потужність випромінювання, мВт/см кв. ...до 103 3. Швидкодія, мкс .........................50-5004 4. Робоча температура, С ............50-1505 5. Розміри випромінюючої ділянки, мм ..................0,3х0,3 - 2,5х2,5 З метою вивчення параметрів приладів заплановано створення стенду для вимірювань і розробка програми та методики випробувань.

Стадія завершеності розробки: Випробувано в режимі дослідної експлуат

Опис розробки:
()
Принцип дії розроблюваних джерел засновано на ефекті концентраційної модуляції, теплового випромінювання напівпровідників при інжекції носіїв заряду в оптично тонку базу світлодіода. Технологію виготовлення активних елементів джерел буде розроблено на основі монокристалів Si. Особливе значення має проведення дифузії акцепторних і донорних домішок в Si для створення р*-n-n*- структур. При цьому потрібна висока якість домішок - дифузантів, оснастки, газової атмосфери в якій проводится дифузія. Крім того, планується використання гетерування кристалу кремнію за рахунок використання властивостей акцепторних і донорських домішок, які наносяться на поверхню кремнію з підбором необхідної концентрації. Підвищення рівня t також можна досягнути за рахунок вибору температурно-часового режиму при проведенні дифузійного процесу. При застосуванні нанокристалічного чи поруватого кремнію в технології світлодіодів ІЧ-випромінювання за рахунок оптимальної каналізації виводу світла з об"єму монокристалічного кремнію, зменшення швидкості рекомбінації на поверхні та в об"ємі, оптимального регулювання оптичних характеристик буде підвищено потужність світлодіодів, при розробці. Метод магнетронного розпилення є простою технологією, що дозволяє осаджувати при порівняно високій швидкості й низкою температурі нанокристалеві кремнієві плівки. Іншим способом одержання нанокристалевих кремнієвих плівок є формування нанокристалів в аморфній плівці при впливі певних зовнішніх факторів: відпадіння, лазерне опромінення, імплантація іонів кремнію.

Результати дослiджень
Забезпечує отримання стабільних результ

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Спільне доведення до промислового рівня
Створення спільного підприємства

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua