Призначення розробки: Винахід відноситься до області нелінійної оптики, зокрема динамічної голографії, і може бути використаний в системах лазерної діагностики розсіюючих об’єктів у діапазоні довжин хвиль 600-1000 нм.

Рекомендована область застосування: Використання можливе у фізичних та медичних науково-дослідних лабораторіях та інститутах при розробці методів діагностики біологічних об'єктів та розробки методів оптичної обробки інформації, а також при виконанні прикладних та фундаментальних досліджень.

Переваги перед аналогами: На даний час досягнуто параметри, що суттєво перевищують такі величини відомих зарубіжних аналогів у діапазоні довжин хвиль 630-852 нм. Проведені попередні дослідження на макетах пристроїв підтверджують перспективність застосування даних матеріалів.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Техніко-економічний ефект: Використання матеріалу дозволяє реалізувати оптичне зондування неоднорідностей в розсіюючих середовищах (зокрема в біологічних тканинах) в спектральній області «терапевтичного вікна» прозорості, тобто мінімального поглинання гемоглобіну. На його основі можуть бути реалізовані перспективні методи попередньої діагностики пухлин в живій тканині.

Опис розробки:
()
Завданням винаходу є створення фоторефрактивного матеріалу, ефективного в даній області спектру, що характеризується достатньо великим коефіцієнтом двохвильової взаємодії та малим (порядка мілісекунд) часом формування динамічних голограм, на основі легованих монокристалів Sn2P2S6. Використання методів динамічної голографії на основі фоторефрактивних параметрів матеріалу дозволяють підсилити слабкі оптичні сигнали ближнього інфрачервоного діапазону та виділити корисний сигнал на фоні значного розсіяння. Відпрацьована технологія отримання матеріалу та його післяростової обробки, продемонстрована його ефективність на макетах пристроїв.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж техничної документації
Спільне доведення до промислового рівня

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua