Призначення розробки: Фізико-технологічна лабораторія напівпровідникового матеріалознавства українського університету пропонує спосіб модифікації структури транспортних каналів кристалічних та склоподібних суперіонних сплавів аніонами галогену для покращення параметрів їх питомої електропровідності.

Рекомендована область застосування: Напівпровідникові матеріали. Джерела живлення. Підприємства, що займаються виготовленням компактних твердотільних джерел живлення.

Технічна характеристика: Концентрація інжектованих в сплавносіїв заряду та величина їх дрейфової швидкості визначається сумарним ефективним перерізом транспортних каналів та лінійною концентрацією центрів захоплення.

Стадія завершеності розробки: Провірено в лабораторних умовах

Техніко-економічний ефект: Вперше показано, що аніони галогену в досліджуваних су періонних сплавах виявляють властивість рухливої квазірідини. Суперіонну електропровідність забезпечують інжектовані з електродів у сплави катіони срі бла та аніони галогену.

Опис розробки:
()
Використовуючи електрохімічні комірки різної конструкції, шляхом контрольованого введення до складу синтезованих кристал ічних та склоподібних сплавів аніонів галогену, встановлено можливість зменшити енергію активації носіїв струму та підвищити питому іонну електропровідність зразків.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Спільне виробництво,продаж,эксплуатація

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua