Призначення розробки: Запропонований безконтактний метод використовується для визначення рекомбінаційних параметрів носіїв заряду, таких, як швидкість поверхневої рекомбінації, час життя та дифузійна довжина носіїв заряду в напівпровідниках (н/п) з виводом результатів тестування на зовнішні пристрої у вигляді протоколів.

Рекомендована область застосування: Метод використовується в мікроелектроніці при виробництві і оптимізації характеристик н/п приладів.

Переваги перед аналогами: Запропонований спосіб вимірювання рекомбінаційних параметрів у напівпровідниках, на відміну від аналогів, надає можливість здійснення безконтактного неруйнівного експрес-контролю широкого спектру напівпровідникових зразків в широкому температурному діапазоні, що не потребує наявності складного коштовного обладнання для позиціювання і зондування з комп'ютерним керуванням.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Опис розробки:
()
В основу методу покладено вимірювання нерівноважного теплового випромінювання вільних носіїв заряду в н/п (hn2Eg). Даний метод дає можливість здійснення безконтактного неруйнівного експрес-контролю широкого спектру напівпровідникових зразків. Ефективність методу не залежить від характеру домінуючого механізму рекомбінації (випромінювальна, безвипромінювальна), що дозволяє досліджувати рекомбінаційні параметри як у прямозонних, так і в непрямозонних н/п. Ефективність методу зростає з температурою. Це значно спрощує реалізацію методу і забезпечує можливість безконтактного неруйнівного контролю рекомбінаційних параметрів широкого переліку н/п в широкому температурному діапазоні (300-800 К). На базі цього методу була розроблена технологія неруйнівного поточного контролю параметрів матеріалу Si та приладів на основних стадіях виробництва сонячних елементів (ВАТ "Квазар").

Відомості про новизну розробки:
є патентів України -- 1 шт.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж ліцензій
Продаж техничної документації

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua