Призначення розробки: Розроблені детектори призначені для реєстрації слабкого ультрафіолетового випромінювання (УФВ) на фоні потужного видимого та інфрачервоного випромінювання.

Рекомендована область застосування: Ультрафіолетова фотоелектроніка, зокрема для потреб: медицини - фізіотерапія, контроль опромінення людей сонячною радіацією; біотехнології - синтез вітамінів D2 та D3; матеріалознавства - визначення складу речовин та електронної структури елементів; екології - проблема озонової діри, визначення забруднення навколишнього середовища.

Технічна характеристика: Фоточутливість Ni/ZnO:N/Al детекторів УФВ - 0,1 А/Вт при довжині хвилі УФВ 365 нм. Швидкодія - 100 мс.

Переваги перед аналогами: Досягнуті розробниками значення фоточутливості та швидкості Ni/ZnO:N/Al детекторів ЦФВ відповідають за величиною аналогічним характеристикам промислових детекторів на основі Si, GaN та SiC. Порівняно з GaN, оксид цинку характеризується більш низькими температурами та більш простими технологічними процесами осадження плівок. Відповідно, цей матеріал має нижчу вартість. Треба також зазначити, що ZnO є технологічним матеріалом, оскільки існує багато методів його осадження.

Стадія завершеності розробки: Розроблено робочу документацію

Опис розробки:
()
Створення детекторів ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктурованих плівок ZnO представляє значний інтерес через поширеність Zn та O2 у природі, просту та дешеву технологія його отримання - магнетронне напилення, нетоксичний матеріал для навколишнього середовища - нетоксична технологія його отримання. Також напівпровідникові детектори мають високу ефективність, малу вагу та габарити, здатність інтегрувати сигнал, що детектується.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж ліцензій
Продаж техничної документації
Спільне доведення до промислового рівня

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua