Призначення розробки: Метод горизонтальної спрямованої кристалізації (ГСК) дозволяє вирощувати сапфір будь кристалографічної орієнтації у вигляді пластин рекордних розмірів (350х500х40 мм3), недоступних іншим ростовим методам.

Рекомендована область застосування: Вирощування кристалів сапфіру.

Переваги перед аналогами: Метод ГCК володіє рядом істотних переваг в порівнянні з іншими расплавними методами: - можна вирощувати кристали сапфіра у формі пластин таких розмірів, які недоступні іншим методам; - є високоефективним методом, що дозволяє отримувати кристали оптичної якості (1, 2 і 3 категорії); - дає можливість використовувати доступні матеріали для створення температурного поля і виготовлення контейнерів різних геометричних форм; - процес затравлення і кристалізації можна контролювати візуально або за допомогою оптичних приладів; - завдяки великій площі розплаву відбувається ефективне випаровування домішок (вирощені кристали володіють високою хімічною чистотою 99,996%); - дозволяє вирощувати монокристали з низькими (< 2 кг/мм2) залишковими напруженнями, що дає можливість у ряді випадків виключити спеціальний технічний отжиг.

Стадія завершеності розробки: Впроваджено в виробництво

Опис розробки:
()
Розроблено удосконалену технологію вирощування кристалів сапфіру методом ГСК в захисних газових середовищах, що має ряд переваг перед відомою вакуумною технологією (методом Багдасарова). Удосконалена технологія також успішно використовується для вирощування лазерних кристалів Ti:сапфіру і сцинтиляційних кристалів рідкоземельних алюмінієвих гранатів (LuAG:Pr, LuAG:Ce, YAG:Ce). Удосконалена технологія зростання і коригувальний отжиг дозволяють отримувати УФ-стійкий матеріал.

Результати дослiджень
Відповідає технічній характеристиці

Можливість передачі за кордон:
Продаж техничної документації
Створення спільного підприємства
Реалізація готової продукції

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua