Призначення розробки: Розроблено метод вирощування високотемпературних монокристалів методом Чохральського в акустичному ультразвуковому полі, що дозволяє активно впливати на гідродинаміку і газонасиченість розплаву. Методом Чохральського вирощуються сцинтиляційні монокристали важких оксидів CdWO4, PbWO4, PbMO4 і Тi:сапфір для лазерної техніки.

Рекомендована область застосування: Виготовлення активних лазерних елементів.

Переваги перед аналогами: Метод Чохральського має ряд переваг в порівнянні з іншими методами кристалізації: - високий рівень автоматизації технологічного процесу кристалізації дозволяє проводити процес кристалізації при мінімальній участі оператора; - можливість отримання монокристалів заданої кристалографічної орієнтації, з малими відхиленнями осі росту від цього напрямку; - наявність високих температурних градієнтів в розплаві у фронту кристалізації, що забезпечує умови стійкості гладкого фронту кристалізації; - достатня простота отримання монокристалів діаметром до 50 мм, що мають високу оптичну й структурну якість, що дозволяє використовувати їх для виготовлення активних лазерних елементів; - використання газових середовищ кристалізації з різним окислювально-відновним хімічним потенціалом дозволяє вирощувати монокристали різного хімічного і стехіометричного складу; - зростання кристала з розплаву відбувається без контакту зі стінками тигля, що дає можливість легко міняти геометричні параметри зростаючого кристала і візуально контролювати його зростання; - метод дозволяє задавати геометричну форму зростаючого кристала шляхом варіювання температури розплаву і швидкості витягування; - теплові вузли методу Чохральського відрізняє простота, надійність, низька вартість і економічність при експлуатації.

Стадія завершеності розробки: Впроваджено в виробництво

Опис розробки:
()
Метод Чохральського - один з найбільш популярних і широко використовуваних промислових методів вирощування монокристалів напівпровідникових і діелектричних матеріалів, а також синтетичних кристалів дорогоцінних каменів. Технологічні особливості проведення процесу визначаються вимогами до геометричних параметрів, структури, морфології та фізико-хімічними властивостями монокристалів. На базі методу Чохральського створені системи повної автоматизації процесу вирощування монокристалів. Основний елемент сучасних автоматизованих систем - датчик ваги, що володіє високою чутливістю, точністю і надійністю. Це дозволяє в процесі вирощування безперервно контролювати вагу зростаючого кристала, його геометричні розміри і технологічні параметри кристалізаційного процесу.

Результати дослiджень
Забезпечує отримання стабільних результ

Можливість передачі за кордон:
Створення спільного підприємства
Реалізація готової продукції

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua