Призначення розробки: Призначено для з’єднання стандартних коаксиальних трактів вимірювальних приладів до контактних площадок безкорпусних GaAs польових транзисторів.

Рекомендована область застосування: В наукових дослідженнях при вивченні параметрів малошумлячих та малопотужних транзисторів в діапазоні температур 80-350 К.

Технічна характеристика: - діапазон частот, ГГЦ - 0,1-12; - втрати що вносяться в робочу смугу 10%, не більше, дб - 0,4; - розв’язка по сигнальному тракту між входом та виходом, не менше, дб - 25; - КСВН входу/виходу в робочій смузі 10%, не більше, од. - 1,3.

Стадія завершеності розробки: Впроваджено в виробництво

Опис розробки:
()
Вимірювальне обладнання виконано на основі мікросмужкових ліній, що нанесено на кераміці з окису алюмінію. На кінцях мікросмужкових ліній закріплено сигнальні мікрозонди (контактні штирі) з берилєвої бронзи. Земляні (джерельні) мікрозонди монтуються безпосередньо на виступі в корпусі, що розділяє вхід та вихід транзистора який досліджується. Індуктивність мікрозондів 0,3 нГн. Розміри контактних площадок транзисторів не менш ніж 80х80 мкм. Використовується локальне охолодження транзистора, що досліджується парорідинним потоком азоту, який підводиться безпосередньо до транзистора. Зміна ступеня охолодження транзистора, що досліджується здійснюється шляхом зміни потоку азоту, що підводиться до зразка.

Результати дослiджень
Відповідає технічній характеристиці

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua