Призначення розробки: Напівпровідники CdTe з наноструктурованою поверхнею перспективні для створення швидкодіючих фотодіодів, оптичних модуляторів, сонячних елементів та інших приладів фотоніки.

Рекомендована область застосування: При виготовленні напівпровідників

Переваги перед аналогами: У запропонованій розробці утворення нанорозмірних структур може відбуватися як у твердій, так і у рідкій фазах за рахунок формування дефектно-деформаційних континуумів при опроміненні матеріалу.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Опис розробки:
()
Лазерне опромінення і спричинена ним дія, зокрема, нагріву, оптичного збудження, деформаційних, ударних та поверхневих хвиль утворює у твердих тілах високу концентрацію точкових дефектів. При перевищенні критичної концентрації відбувається їх кластеризація та утворення острівців нанометрових розмірів. Цей процес виникає при опроміненні одиночними наносекундними імпульсами рубінового лазера кристалів CdTe. Зі збільшенням густини потужності лазерних імпульсів розміри наночастинок спочатку збільшуються, а потім зменшуються, при цьому в залежності від параметрів імпульсу вони впорядковуються в різні структури рельєфу.

Результати дослiджень
Забезпечує отримання стабільних результ

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua