Призначення розробки: Оптична та лазерна літографія, голографія, виробництво дифракційних оптичних елементів (дифракційних граток, лінз Френеля та їх матриць), нанооптичних приладів (субхвильових граток з періодом до 100 нм), оптичних дисків- оригіналів та райдужних голограм. Для цих фоторезистів властиве велике значення показника заломлення(2.3-3, а інколи і вище), вони стабільні і не потребують будь-якої термічної обробки, прозорі в інфрачервоній (ІЧ)області спектру (від 600 нм до 12-15 мкм). Такі характеристики дозволяють використовувати халькогенідні фоторезисти для виготовлення ефективних дифракційних граток, лінійок ІЧ-мікролінз, мікролінз для оптичних волокон в поєднанні з дво- та трирозмірними фотонними кристалами.

Рекомендована область застосування: У фотолітографії, в голографії, у виробництві дифракційних оптичних елементів.

Технічна характеристика: Роздільна здатність - власна роздільна здатність шару халькогеніду - 1 нм; Чутливість до - ультрафіолет., видима, ближня ІЧ- область спектру, електронні та іонні потоки; Величина чутливості: при запису голограм та фотолітографії - 5 - 50 см2/Дж; при лазерній літографії - до 300 см2/Дж; Метод нанесення - термічне випаровування у вакуумі; Післяекспозиційна обробка - рідинне травлення.

Переваги перед аналогами: В порівнянні з існуючими аналогами розроблений халькогенідний фоторезист характеризується термічною стійкістю (до 400° C), відсутністю усадок під час післяекспозиційної обробки, механічною міцністю та хімічною стійкістю. Технологічність використання неорганічних халькогенідних фоторезистів, оскільки халькогенідні плівки можна осаджувати дуже однорідними як за товщиною, так і за складом і вони можуть застосовуватись в тих же технологічних процесах, що і функціональні шари в мікроелектроніці.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Опис розробки:
()
Запропоновано неорганічний фоторезист у вигляді тонких плівок халькогенідного скла, нанесеного на підкладку за допомогою термічного випаровування у вакуумі. Відомо, що фізико-хімічні властивості таких шарів можуть змінюватися під дією світла чи електронних потоків. Використовуючи розроблені селективні травники, отримується позитивний чи негативний резистивний ефект: швидкість розчинення експонованого фоторезисту значно вища чи нижча, ніж неекспонованого. Халькогенідні фоторезисти можуть наноситись як на плоскі підкладки, так і на вироби складної форми. Дослідження механізмів фотостимульованих перетворень дозволило розробити тонкоплівкові фоточутливі середовища з унікальними характеристиками. Розроблені також технологічні процеси використання цих неорганічних фоторезистів у фотолітографії, у виробництві дифракційних оптичних елементів (дифракційних граток, лінз Френеля та їх матриць), в голографії (для запису рельєфно-фазових голограм), для прямого мастерінгу оптичних дисків.

Відомості про новизну розробки:
є патентів України -- 1 шт.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж ліцензій
Продаж техничної документації
Спільне доведення до промислового рівня

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua