Призначення розробки: Призначено для модифікації поверхні прикладеним напругою.

Рекомендована область застосування: Радіо- і фізико-технічні установки.

Технічна характеристика: - мінімальний робочий тиск: р = 3-4, 10-10 Тор; - роздільна здатність в площині зразка - 0,3 нм, по висоті - 0,01 нм; - максимальний розмір растра - 1х1 мкм2; - тунельна спектроскопія; - оригінальне програмне забезпечення для управління мікроскопом і обробки зображень; - напилення плівок контрольованої товщини; - оже-спектроскопія елементного складу; - термічна обробка зразків у вакуумі; - шлюзування (заміна) зразків і Вістерії СТМ без порушення надвисокого вакууму; - можливість модифікації поверхні прикладеним напругою.

Стадія завершеності розробки: Випробувано в режимі дослідної експлуат

Опис розробки:
()
Принцип роботи приладу заснований на квантово-механічному явищі проходження електрона через потенційний бар'єр, висота якого перевищує повну енергію електрона.

Результати дослiджень
Забезпечує отримання стабільних результ

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua