Призначення розробки: Метод призначений для використання в промисловості при виготовленні фотодетекторів та світловипромінюючих приладів.

Рекомендована область застосування: В промисловості (при виготовленні фотодетекторів та світловипромінюючих приладів).

Технічна характеристика: Електричне поле - ЕД=50-100 В/см; температура TД=300-4000С; час - декілька десятків хвилин tД.

Переваги перед аналогами: Перевагою запропонованого методу є те, що прикладання електричного поля суттєво прискорює процес легування та очищення, що дозволяє значно знизити його температуру та уникнути створення власних дефектів. Метод дозволяє також визначати параметри дифузії домішок в різних кристалографічних напрямках. Метод перевірявся на високоомних кристалах CdS, які легувалися міддю та сріблом,що вводились в електрод, який слугував за анод, а також очищувались від цих домішок. Було виявлено, що швидкість дифузії міді у напрямку, перпендикулярному до с-осі кристалу, більша, ніж у напрямку, паралельному до цієї осі, тоді як для срібла має місце протилежне співвідношення. Таким чином, вибір відповідного напрямку дифузії дозволяє додатково прискорити процес легування або очищення. Новизна методу полягає у використанні дрейфу дефектів і домішок для очищення кристалів А2В6, а також у використанні певного кристалографічного напрямку прикладання електричного поля, що дозволяє суттєво прискорити процеси очищення і легування.

Стадія завершеності розробки: Підготовлено до впровадження

Опис розробки:
()
Метод заснований на використанні дрейфу домішок в електричному полі. Для цього на кінці кристала наносяться електроди, до яких прикладається постійне поле. Під дією цього поля від'ємно заряджені дефекти та домішки накопичуються біля аноду, а позитивно заряджені - біля катоду, що призводить до очищення об'єму кристала. Для легування кристала в один з електродів вводиться потрібна домішка, яка під дією електричного поля "втягується" в кристал. Легування сполук А2В6 здійснюється, як правило, дифузією з поверхні або іонною імплантацією.

Результати дослiджень
Забезпечує отримання стабільних результ

Можливість передачі за кордон:
Спільне доведення до промислового рівня

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua