Призначення розробки: Наноструктури з кремнієвими та германієвими квантовими точками призначені для створення випромінювачів світла на кремнії; вирішення задач інтеграції елементів опто- і мікроелектроніки; створення елементів енергонезалежної пам'яті та об'єктів дослідження квантово-розмірного ефекту у непрямозонних напівпровідниках (Si, Ge).

Рекомендована область застосування: Виробництво елементів наноелектроніки.

Технічна характеристика: Промінь: Довжина хвилі - 1.06 мкм, густиною енергії в імпульсі - 20 Дж/см2, тривалістю імпульсу 10 нс частотою 25 Гц швидкість нанесення плівок - 5 - 10 нм/хв, товщини плівок - 50 - 500 нм. N2 лазер: випромінюванням: ?=337нм, ?імп=8нс. мінімальна тривалість вимірювального стробу - 250 нс. спектри фотолюмінесценції з часовим розділенням перекривають діапазон енергій - 1.4-3.2 еВ часи релаксації - 50 нс-12 мкс.

Переваги перед аналогами: Аналоги відсутні.

Стадія завершеності розробки: Провірено в лабораторних умовах

Опис розробки:
()
Метод імпульсного лазерного осадження для одержання фотолюмінесцентних плівок з кремнієвими та германієвими квантовими точками. Промінь IАГ:Nd3+ лазера, що працює в режимі модульованої добротності сканує Si (Ge) мішень. Осадження на підкладку відбувається в вакуумній камері з частинок ерозійного факела. Квантово-розмірний ефект обумовлює фотолюмінесценцію у видимій області спектра при кімнатній температурі в непрямозонних напівпровідниках - кремнії та германії. Розроблено метод дослідження спектрів фотолюмінесценції з часовим розділенням. Сигнал фотолюмінесценції реєструють в режимі рахунку фотонів. Збудження фотолюмінесценції здійснюють випромінюванням N2 лазера.

Відомості про новизну розробки:
є патентів України -- 3 шт.

Результати дослiджень
Забезпечує отримання стабільних результ

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Спільне доведення до промислового рівня

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua