Призначення розробки: Пропонується створення технології синтезу полікристалічного GaAs та технологію вирощування електронного GaAs для потреб мобільного і супутникового зв'язку та планшетних комп'ютерів.

Рекомендована область застосування: Нанотехнології. Мобільний і супутниковий зв'язок та в планшетних комп'ютерах.

Переваги перед аналогами: Одержання малодислокаційних кристалів GaАs є складним технологічним завданням, до теперішнього часу практично невирішеним.

Стадія завершеності розробки: Випробувано в режимі дослідної експлуат

Опис розробки:
()
В рамках проекту розроблено установку "Полярон" для експресного інтегрального контролю внутрішньої напруги в пластинах GaAs із застосуванням інфрачервоної відеосистеми, що дозволяє проводити моніторинг технологічного процесу. На основі проведених теоретичних і експериментальних досліджень умов тепломасопереноса в установках "Арсенід-1" з вирощування GaАs методом Чохральського за LEC-технологією, розроблено: - модель і процедуру експерименту щодо визначення температур по поверхні екрану теплового вузла ростової камери; - математичну модель, що зв'язує геометричні параметри теплового вузла з кутовими коефіцієнтами теплових потоків з поверхні злитка, що дозволяє оптимізувати тепловий режим; - експресну методику визначення і представлення ліній ізонапруг у площині пластини GaАs; Розроблений тепловий вузол установки "Арсенід-1А" дозволив знизити осьові температурні градієнти до 51...53 К/см і забезпечити рівномірний розподіл температури по осі вирощуваного злитка. Розроблено методику і пристрій "ТАУ-1" для визначення значення параметра mt в досліджуваному зразку. Похибка методики склала 2 %. Пристрій метрологічно атестовано і упроваджено у виробництво, крім того, розроблено і упроваджено у виробництво програмне забезпечення АСУ ростовою установкою "Арсенід-1", що дозволяє залежно від категорії користувача (апаратник, технолог, налагоджувальник) реалізувати функції управління технологічним процесом.

Результати дослiджень
Готове до впровадження

Можливість передачі за кордон:
Спільне доведення до промислового рівня

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua