Призначення розробки: Розробка стосується вирощування кристалів активних діелектриків NaBi(MoO4)2, ВіV(Nb)О4, LiNbO3, TeO2 для потреб сучасної оптоелектроніки в промислових масштабах.

Рекомендована область застосування: Оптоелектроніка.

Переваги перед аналогами: У розробці поєднано можливості варіювання параметрів синтезу й комплексних досліджень, що дає змогу встановити зв’язок фізичних властивостей з особливостями структури, умовами вирощування й технологічної обробки отриманих матеріалів.

Стадія завершеності розробки: Провірено в лабораторних умовах

Опис розробки:
()
Пропонуються п’єзоелектричні й акустооптичні екологічно чисті кристали, тонкі плівки. Встановлено фактори, які впливають на підвищення ефективності п’єзоелектричних і акустооптичних, екологічно чистих матеріалів. Предметом дослідження є власні дефектні стани, розмірні ефекти і модифікації складу матеріалів поблизу морфотропної фазової границі, дослідження і використання яких дасть змогу підвищити ефективність еко-дружніх п’єзоелектричних і акустооптичних матеріалів. Методи підвищення оптичної якості кристалів пройшли практичну апробацію.

Відомості про новизну розробки:
є патентів України -- 2 шт.

Результати дослiджень
Потрібне доопрацювання

Можливість передачі за кордон:
Продаж ліцензій

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua