Призначення розробки: Широкоапертурне низькоенергетичне джерело комбінованого іонно-електронного пучка призначене для реактивної іонно-променевої обробки мікро- і наноструктур у технологіях мікроелектроніки, для іонно-променевого полірування, осадження тонких плівок, а також для проведення фундаментальних наукових досліджень у галузі фізики плазми і фізики пучків заряджених частинок.

Рекомендована область застосування: Результати роботи можуть бути реалізовані в наукових організаціях фізичного і технічного профілю та безпосередньо на підприємствах, що виготовляють сучасну наукоємну продукцію.

Стадія завершеності розробки: Впроваджено в виробництво

Опис розробки:
()
Джерело забезпечує генерацію суміщеного пучка іонів і електронів діаметром 250 мм (діаметр зони обробки 200 мм) з можливістю незалежного керування енергією іонів у діапазоні 50-500 еВ і щільністю струму іонів у діапазоні 0,5-6 мА/см2 на виході іонно-оптичної системи. Застосування іонно-оптичної системи з високочастотним зсувом забезпечує можливість одночасного витягання позитивних іонів і електронів. У всіх режимах забезпечується повна струмова компенсація пучка. Джерело пристосоване до тривалої експлуатації з використанням хімічно активних газів, що містять фтор.

Відомості про новизну розробки:
є авторських свідоцтв -- 10 шт.
є патентів України -- 5 шт.

Результати дослiджень
Забезпечує отримання стабільних результ

Можливість передачі за кордон:
Продаж ліцензій
Спільне виробництво,продаж,эксплуатація

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua