Призначення розробки: Призначено для перетворення магнітного поля в струм.

Рекомендована область застосування: Розробка може бути реалізована у вимірювальній апаратурі широкого призначення.

Технічна характеристика: Основні технічні характеристики: - напруга живлення, В 6-12; - струм живлення, мА 3-5; - магніточутливість, мА/Тл 1-2; - вихідний імпеданс, Мом 0,5-1; - швидкодія, мкс 0,5-1.

Переваги перед аналогами: За фізичними ознаками аналогів немає. Порівняно з найближчим та найбільш розповсюдженим технічним аналогом - датчиком Хола - магнітотранзистор має, по-перше, на два порядки більшу чутливість у вольтовому режимі, та, по-друге, технологія його виготовлення цілком сумісна зі стандартними технологічними процесами (епітаксиально-планарним та КМОП). Технічні та економічні характеристики структури як перетворювача роблять її конкурентоспроможною на світовому ринку датчиків магнітного поля.

Стадія завершеності розробки: Впроваджено в виробництво

Техніко-економічний ефект: Економічні переваги датчиків на основі транзисторної структури базуються на використанні для її виготовлення переважно ресурсів України, групових методів мікроелектроніки, відсутності дорогоцінних матеріалів, низькою трудоємністю. Орієнтовна вартість одного датчика така ж, як і звичайного малопотужного транзистора широкого застосування, що значно менше вартості технічного аналога. Техніко-економічні показники дозволяють застосовувати датчик для широкого кола вимірювальної апаратури і обладнання.

Опис розробки:
()
Інжекційні дрейфові магніточутливі напівпровідникові структури балансного типу, вихідним сигналом яких є струм. Застосовуються як базові елементи перетворювачів магнітного поля, які використовуються для: - вимірювання магнітної індукції; - безконтактного вимірювання струмів; - реєстрації лінійних та кутових переміщень (зокрема, як датчика положення у безколекторних двигунах постійного струму); - вимірювання швидкості обертів. На базі Львівського науково-дослідного радіотехнічного інституту вироблена експериментальна партія магніточутливих транзисторних структур як первинних перетворювачів у складі інтегральної магніточутливої схеми та проведені їх експериментальні випробування. Результати випробувань показали 100%-ву готовність до впровадження.

Відомості про новизну розробки:
є авторських свідоцтв -- 1 шт.
є патентів інших країн -- 1 шт.

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua