Призначення розробки: З"ясувати механізми процесів взаємодії об'ємних та поверхневих дефектів в напівпровідникових матеріалах з електричним полем.

Рекомендована область застосування: Застосування кремнієвих пластин в якості сенсорів, перетворювачів тиску.

Переваги перед аналогами: Зменшено нелінійність та температурну залежність перетворювача.

Стадія завершеності розробки: Провірено в лабораторних умовах

Техніко-економічний ефект: Зменшено нелінійність та температурна залежність перетворення.

Опис розробки:
()
Запропоновано метод виявлення присутності декорованих дислокацій в кристалах СdS на основі аналізу форми спектра краєвої люмінесценції. Оптимізовано режими анодування та наступної обробки Si-пластин, що дозволило отримати зразок пористого кремнію з зовнішнім квантовим виходом ~20%.

Результати дослiджень
Забезпечує отримання стабільних результ

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Продаж техничної документації

Фотодоповнення

Країна Україна

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua