Призначення розробки: Для контролю відхилень від площинності напівпровідникових пластин, які перебувають у "випрямленому" стані.

Рекомендована область застосування: Підприємства електронної промисловості.

Технічна характеристика: Технічні характеристики: - діаметр контрольованих пластин - 100; 150; 200 мм; - похибка вимірів відхилень від площинності - 50 нм; - середнє квадратичне відхилення випадкової складової похибки вимірів - 20 нм; - максимальний перепад висот рельєфу поверхні пластини на довжині 10 мм - не більше 7 мкм; - кінематична продуктивність, пластин/ч: для пластин діаметром 100 мм - 90 для пластин діаметром 150 мм - 75 для пластин діаметром 200 мм - 60

Переваги перед аналогами: По своїх основних технічних параметрах розроблена установка перевершує єдиний вітчизняний зразок ЕМ-6019А та відповідає кращому на сьогоднішній день світовому зразку фірми ADE, вигідно відрізняючись від них за ціною.

Стадія завершеності розробки: Впроваджено в виробництво

Техніко-економічний ефект: Застосування установки дозволить знизити відсоток браку вироблених мікросхем, оскільки топологічний малюнок із субмікронними елементами формується в шарі фоторезисту за допомогою проекційних об'єктивів, що мають глибину різкості в кілька мікрометрів, що не дозволяє одержати якісні мікросхеми на пластинах з такою ж кривизною робочої поверхні через розфокусування зображення.

Опис розробки:
()
В установці використаний метод багатоканального інтерферометра. Установка призначена для використання на підприємствах електронної промисловості як при виробництві напівпровідникових кремнієвих пластин, а також підкладок з арсеніду галію, сапфіра й кремнію на сапфірі, так і для їхнього сортування на три сорти по заданим оператором параметрам безпосередньо перед процесом фотолітографії. Розроблена установка дозволяє вимірювати интерферометрическим методом відхилення від площинності робочої поверхні кремнієвих напівпровідникових пластин і підкладок.

Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів
Реалізація готової продукції

Фотодоповнення

Країна Білорусія

Для отримання додаткової інформації звертайтесь::
E-mail: gal@uintei.kiev.ua