СИНТЕЗ ТА СТРУКТУРОУТВОРЕННЯ НАНОКРИСТАЛІЧНИХ КОМПОЗИЦІЙНИХ МАТЕРІАЛІВ В СИСТЕМІ Si-C І НОВОЇ ТРІЩИНОСТІЙКОЇ НАДТВЕРДОЇ КЕРАМІКИ.
Призначення розробки:
Створення наукових основ формування метастабільних станів карбіда-кремнія, обумовлених нявністю зверхстехіометричних атомів вуглецю в його структурі, та створення нової надтвердої кераміки.
Рекомендована область застосування:
Порошкова металургія, машинобудування, електроніка, хімічна промисловість.
Переваги перед аналогами:
Отримана нова надтверда кераміка за рахунок реалізації ефекту дисперсіоного ущільнення.
Стадія завершеності розробки:
Випробувано в режимі дослідної експлуат
Техніко-економічний ефект:
Отримані зверхтверді матеріали, що можна використати в якості абразивно-стійкого покриття.
Опис розробки:
() Об'єкт дослідження - карбід кремнію в метастабільному стані, що характеризується частковим заміщенням атомів кремнію атомами вуглецю в структурі beta-SiC.
Мета досліджень: створення наукових основ формування метастабільного стану карбіду кремнію, обумовлених наявністю зверхстехіометричних атомів вуглецю в його структурі та новій зверхтвердій кераміці, що суміщає в собі параметри твердості та тріщиностійкості, а також композиційних материалів на основі спеціально синтезованих нанокристалевих композиційних порошків в системі Si-C.
Наукова новизна результатів: разроблено метод синтезу нанокристалевих порошків у вигляді твердого розчину вуглецю в карбіді кремнію за рахунок об'єднання в єдиному процесі СВС і осадження з газової фази.
Розроблена зверхтверда кераміка, котра суміщає в собі високі параметри твердості та тріщиностійкості, і композиційні матеріали на основі спеціально синтезованих нанокристалевих композиційних порошків в системі Si-C. Зверхтверда кераміка, що отримано за рахунок реалізації ефекту дисперсійного ущільнення.
Результати дослiджень
Готове до впровадження
Можливість передачі за кордон:
Продаж патентів Спільне доведення до промислового рівня Спільне виробництво,продаж,эксплуатація
Фотодоповнення
Країна
Україна
Для отримання додаткової інформації звертайтесь:: E-mail: gal@uintei.kiev.ua
|